IRF640N มอสเฟต Mosfet ภาคขยายแอมป์รถยนต์ ยี่ห้อ Infineon / IR

*ตอนนี้ ตัว Made in China (ด้าน) ได้เปลี่ยนเป็นยี่ห้อ Infineon ซึ่งเป็นตัวเดียวกันกับ ยี่ห้อ IR (ตามรูปปก)

Type Designator: IRF640N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 150 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 18 A
Total Gate Charge (Qg): 44.7 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.15 Ohm
Package: TO220AB